摘要:

纳米线因其异于传统体结构的新颖特性而备受关注。它可以高质量地生长于有极大热膨胀系数与晶格匹配的衬底，从而可以实现低成本的III-V族材料生长。因而，科研工作者追求了数十年的III-V族材料与硅的集成瓶颈有望突破。此外，纳米线因具纳米尺度的一维线状结构而具有独特的光学与力学特性。纳米线与量子点、量子阱的结合更可以带来全新的研究视角和研究点。近年来，我们用分子束外延进行了一系列的III—V族纳米线研究，实现了GaAsP，GaAsSb, InAsP, 和InAsSb纳米线的高质量自催化生长并被用于光电子器件中，比如太阳能电池和水分解。本报告将介绍我们在这个领域的研究成果。

简介：

张运炎博士，2011年硕士毕业于华南师范大学，从事氮化物发光二极管的研究；2011-2012年，在香港科技大学从事研究助理工作，主攻氮化物的MOCVD生长及LED，HEMT等器件研究；2015年获得伦敦大学学院博士学位；2015-今，于伦敦大学学院从事研究助理工作，主要从事三五族纳米线生长及相关器件的研究。迄今发表论文四十余篇，其中包括一作Nano Letters 5篇和一篇邀请综述。

时间：2016年11月19日(星期一)下午2:00

地点：中科院物理研究所M楼236会议室

邀请人：许秀来研究员 （Tel：82649820）

联系人：金奎娟研究员 （Tel：82648099）

主办单位：中国科学院光物理重点实验室