题目：InAs / GaAs量子薄片中电子自旋的控制性光激发及初始相干动力学
报告人：徐士杰 教授（香港大学物理系）
               
摘要：
根据半导体中轻重空穴态的不同自旋特性，利用一束波长可调的圆偏振近红外飞秒激光，在自组装量子点生长过程中浸润层（wetting layer）自发涨落所形成的InAs / GaAs量子薄片中实现了相反电子自旋态的控制性激发。实验观察到相反的电子自旋态表现出一些鲜明的特性。例如，在没有外加磁场的情况下，当电子主要是从重空穴子带激发时，电子自旋表现出奇妙的震荡现象。在有外加磁场的情况下，相反的电子自旋极化展现出位相相差180度的Larmor进动震荡。利用紧束缚近似理论，计算了量子薄片的电子结构及其光跃迁，并考虑了激子效应，得到的理论的g因子值。理论和实验相一致，导致了我们关于电子自旋的控制性激发及其初始相干动力学的重要认识。将在报告中给出仔细的实验结果以及讨论。

徐士杰 教授 简介：
徐士杰，现任香港大学物理系副教授。已在半导体光学及物理和器件领域开展研究工作20年。在半导体自组装量子点及其器件应用上作出几项有重要国际影响的研究工作。在加入香港大学前曾先后在中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、新加坡国立大学等单位工作和学习。

时间：2009年8月14日（星期五）下午3：00  
地点：中科院物理研究所D楼210会议室
联系人：金奎娟  研究员  （Tel：82648099）

主办单位：中国科学院光物理重点实验室