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光物理系列学术报告(第144期)

作者:佚名  来源:本站整理  发布时间:2017-6-6 15:25:22
 
题目: III—V族纳米线的自催化生长与应用 
 
报告人:张运炎, University college London, UK

摘要:

纳米线因其异于传统体结构的新颖特性而备受关注。它可以高质量地生长于有极大热膨胀系数与晶格匹配的衬底,从而可以实现低成本的III-V族材料生长。因而,科研工作者追求了数十年的III-V族材料与硅的集成瓶颈有望突破。此外,纳米线因具纳米尺度的一维线状结构而具有独特的光学与力学特性。纳米线与量子点、量子阱的结合更可以带来全新的研究视角和研究点。近年来,我们用分子束外延进行了一系列的III—V族纳米线研究,实现了GaAsP,GaAsSb, InAsP, 和InAsSb纳米线的高质量自催化生长并被用于光电子器件中,比如太阳能电池和水分解。本报告将介绍我们在这个领域的研究成果。


简介:

张运炎博士,2011年硕士毕业于华南师范大学,从事氮化物发光二极管的研究;2011-2012年,在香港科技大学从事研究助理工作,主攻氮化物的MOCVD生长及LED,HEMT等器件研究;2015年获得伦敦大学学院博士学位;2015-今,于伦敦大学学院从事研究助理工作,主要从事三五族纳米线生长及相关器件的研究。迄今发表论文四十余篇,其中包括一作Nano Letters 5篇和一篇邀请综述。

时间:2016年11月19日(星期一)下午2:00

地点:中科院物理研究所M236会议室

邀请人:许秀来研究员 (Tel:82649820)

联系人:金奎娟研究员 (Tel:82648099)

主办单位:中国科学院光物理重点实验室

 
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  • ·01-05 暂无公告
  •   研究小组
    光子晶体及其应用(L01)
    低维氧化物体系的设计、激光法制备及其物理研究(L03)
    太赫兹和超快光谱学(L04)
    超强激光作用下的高能量密度物理研究(L05)
    超短脉冲激光与精密测量物理(L07)

     

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